俄羅斯《大眾機(jī)械》推薦最有影響力10大新技術(shù)
中國(guó)機(jī)械網(wǎng) 發(fā)布時(shí)間:2007/05/05 |
俄羅斯《大眾機(jī)械》推薦最有影響力10大新技術(shù)
當(dāng)今世界，科技發(fā)展日新月異，科學(xué)新概念層出不窮，新技術(shù)工藝相繼閃亮登場(chǎng)。納米材料、信息技術(shù)、生物制藥、節(jié)能環(huán)保科技領(lǐng)域的創(chuàng)新和研發(fā)引人注目，鼓舞人心。一項(xiàng)新的科技發(fā)明會(huì)在不知不覺(jué)中改變我們的生活，影響社會(huì)發(fā)展的歷程。
近日，俄羅斯《大眾機(jī)械》雜志撰文指出，以下科技新技術(shù)會(huì)使人類生活因此而更加完美無(wú)缺。
相變隨機(jī)閃存(PRAM)
手機(jī)、手提電腦等移動(dòng)設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)器的要求，與服務(wù)器和臺(tái)式電腦等截然不同。長(zhǎng)期以來(lái)，人們對(duì)這些移動(dòng)設(shè)備存儲(chǔ)器的主要性能要求是低成本、低功耗以及非易失性。
但是，由于目前開(kāi)發(fā)的各類存儲(chǔ)器都有其自身缺陷，因而沒(méi)有一款能夠完全滿足上述所有要求。例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器成本低且能夠隨機(jī)訪問(wèn)，但遺憾的是存在易失性，即斷電后會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失；充當(dāng)緩存的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器讀寫(xiě)速度快且能夠隨機(jī)訪問(wèn)，但缺點(diǎn)是成本較高；相比之下，閃存成本低且具有非易失性特點(diǎn)，然而苦于速度慢又無(wú)法隨機(jī)訪問(wèn)。除此之外，目前的閃存制造技術(shù)也無(wú)法生產(chǎn)出存儲(chǔ)容量超過(guò)16G的產(chǎn)品。
最新興起的相變隨機(jī)閃存技術(shù)，類似于CD和CD驅(qū)動(dòng)器中所采用的技術(shù)。在PRAM中，電流將硫化薄膜加熱至晶態(tài)或非晶態(tài)，因兩種狀態(tài)下的電阻率有很大差別，從而可判讀為0或1，只要在上面施加少量的復(fù)位電流就能觸發(fā)這兩個(gè)狀態(tài)的切換。
在現(xiàn)有的電子產(chǎn)品中，廣泛使用的非易失性閃存有NOR和NAND兩種：NOR閃存適合直接運(yùn)行軟件，但它的速度較慢，而且造價(jià)昂貴；NAND閃存容易大規(guī)模制造，更適合存儲(chǔ)大容量文件，如MP3音樂(lè)文件等。PRAM閃存則采用垂直二極管和三維晶體管結(jié)構(gòu)，不需要在儲(chǔ)存新數(shù)據(jù)前擦除舊數(shù)據(jù)，因而是非易失性的，也就是說(shuō)，在電子設(shè)備關(guān)閉時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)。
目前，三星公司在PRAM領(lǐng)域的研發(fā)處于世界領(lǐng)先水平，2006年已經(jīng)展示了它的初級(jí)產(chǎn)品，這些新產(chǎn)品比現(xiàn)有普通閃存快30倍以上。三星公司表示，PRAM產(chǎn)品有望在2008年上市，它極有可能將成為NOR閃存的最終替代品。
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